NPN SILICON TRANSISTOR, EPITAXIAL TRANSISTOR NPN SILICIUM, EPITAXIAL 2N 2369 A - HF small signal amplification Amplification HF petits signaux - Low current fast switching Commutation rapide faible courant Maximum power dissipation Dissipation de puissance maximale Prot (Ww) 1,2 ' (2) 08 l N : T I Ww 0,4 ! d PL) \ ~~ Teagel2C) (1) 50 100 = 180 TamplC) (2) Ic 200 mA hoqg (10 mA) 40 - 120 fr 500 MHz~=s min Case TO-18 See outline drawing CB-6 on last pages Voir dessin cot CB-6 dernires pages Boitier Weight : 0,329 Masse oO Bottom view Vue de dessous Collector is connected to case Le collecteur est reli au boitier ABSOLUTE RATINGS (LIMITING VALUES) Tamb = +25 C (Uniess otherwise stated) VALEURS LIMITES ABSOLUES DUTILISATION am (Sauf indications contraires} Coliector-base voltage V, Tension collecteur-base CBO 40 Vv Collector-emitter voltage Vv Tension coliecteur-metteur CES 40 Vv Collector-emitter voltage VcEeo 15 Vv Tension collecteur-metteur Emitter-base voltage Vv Tension metteur-base EBO 45 Vv Collector current 'c 200 mA Courant collecteur ty = 10 ps lom 500 = 95 Power dissipation Tamb 26C (1) Prot 0,36 w Dissipation de puissance Tease =25C (2) 1,2 Junction temperature . Temprature de jonction max qj 200 c Storage temperature min T 65 Temprature de stockage max stg +200 c 75-43 1/6 THOMSON-CSF OMEN SEACONDUCTEURS 195 SesQesem2N 2369 A STATIC CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES STATIQUES Tamb = 25C (Unless otherwise stated) (Sauf indications contraires} Test conditions Conditions de mesure Min. Typ. Max. Veg = 20V Collector-base cut-off current te =O lego 5 30 BA Courant rsiduel collecteur-base = 150C Tamb Collector-emitter cut-off current Vee =0 loes 0.03 04 A Courant rsiduel collecteur-metteur Voce =20V ' , ui l =0 Collector-base breakdown voltage E Vv Tension de claquage collecteur-base Io =10uA (BRICBO 40 Vv Voe =O BE V(BRICES 40 v , Io =10uA Collector-emitter breakdown voltage Tension de claquage collecteur-metteur | 0 B= Vv 3K le =10mA (BR)CEO 15 Vv Emitter-base breakdown voltage Ic = 0 ViBR)EBO 45 Vv Tension de claquage metteur-bese le =10pA Vee = 0.35 V 40 120 Ic =10mA Vee =tVv cE 40 120 ' =10mA Static forward current transfer ratio Veg = 0,4 V Valeur statique du rapport de transfert | =30mA h. * 30 650 direct du courant c =eNm 21E Veep =1V CE l c = 100 mA 20 35 Veg = 0,35 V Ico =10mA 20 Tamb = ~55C I = c = 10mA 0,16 0,2 Ig =1TmA Collector-emitter saturation voltage Vv Tension de saturation collecteur-metteur le =10mA CEsat v Ip =1mA 0,18 0,3 Tamb= 128C * Pulsed tp =300us 5 < 2% impulisions 2/6 1962N 2369 A STATIC CHARACTERISTICS T =25C (Unless otherwise stated) CARACTERISTIQUES STATIQUES amb (Sauf indications contraires} Test conditions i Canditions de mesure Min. Typ. Max. ic * sae 0,2 0,25 Collector-emitter saturation voltage B VcE sat Vv Tension de saturation collecteur-metteur I = 100 mA c Ip. =10mA 04 06 Ic = 10mA 0,70 0,85 Ip =1mA , , le =10mA ip =! mA 0,59 1,02 Base-emitter saturation voltage L55C<T, <4 125C) Vv Tension de saturation base-metteur amb BEsat V ic =30mA 09 1,15 Ip = 3mA , lq =100mA ig =10mA 1 16 DYNAMIC CHARACTERISTICS (for small signals) CARACTERISTIQUES DYNAMIQUES (pour petits signaux) Vee = 10V Transition frequency = Frquence de transition Ic 10 mA fy 500 700 MHz f = 100 MHz Veg =5V C Output capacitance = 4 Capacit de sortie le 0 22b 23 pF , f = 1 MHz SWITCHING CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES DE COMMUTATION Veg =-15V Turn-on time i ! =10mA 8 12 Temps total d'tablissement "9 ") c m ath ns Ip = 3mA le =10mA Turn-off time ig. \ =3mA t+ 14 18 ns Temps total de coupure {fig. 1) leo =1,5mA sth lo =10mA Carrier storage time . = t Retard 4 fa dcroissance (fig. 2) pa 10mA s 8 13 ns ipo = 10 mA 3/6 1972N 2369 A SWITCHING TIMES TESTS CIRCUITS SCHEMAS DE MESURES DES TEMPS DE COMMUTATION 220 2 0,1 uF Figure 1 Vo Oscilloscope Generator Oscilloscope Gnrateur Z = 502 Z = 509 t. < Ins t < Ins r t = 300ns < 2% 10% Veg = -3V om \ _ 1 Vv, =+18V 5 ESA ! 50% 90% 2 V2 Figure 2 890 2 0,1 uF 1kQ v4 Generator Oscilloscope Gnrateur Oscilloscope z= 602 56 Q Z = 502 t, < Ins + t. < ins t = 300ns NV op TOV 6 << 2% . o ~ Ter +6V y " . 10% Signal at point*A Signal au point 4A 0 Vv - TT i Input signal Vv 4v 1 Signal dentre 1 Lt. J 10 V e Ts Ls Va Output signal 10% Signal de sortie 4/6 1982N 2369 A TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES c (mA, - r T ~ oc a = oe 2 amb | LZ 15 i oso c | LZ 10 mA OA 5 0,08 m4 _ 1 = 0,02 mA 8 0 5 10 15 Vogl) Mote 150 100 50 2 5 2 5 107 10" 10 107 Ig ima) (ma) Tom = 25C 200 | mA | a mA lo 2mA 100 re 1,5 mA [ A en im | 50 ae tg =0,5 mA 0 0 1 2 3 4 Vee!) Vee (Vv) 1 0,8 0,6 0,4 0,2 2 5 2 5 2 5 2 5 102 107 = 10 10! Igima) 5/6 1992N 2369 A TYPICAL CHARACTERISTICS CARACTERISTIQUES TYPIQUES 2 5 2 2 2 10"! 10 10! 107 Igima) tet dr {ns} = "3 VBEblocage 5V 6 4 2 4 68 6/6 200