Plastic Darlington
Complementary Silicon Power
Transistors
. . . designed for general–purpose amplifier and low–speed
switching applications.
•High DC Current Gain —
hFE = 2000 (Typ) @ IC
= 2.0 Adc
•Monolithic Construction with Built–in Base–Emitter Resistors to
Limit Leakage
Multiplication
•Choice of Packages —
MJE700 and MJE800 series
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
MAXIMUM RATINGS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Rating
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJE700
MJE800
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
MJE702
MJE703
MJE802
MJE803
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCEO
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VCB
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
60
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
80
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter–Base Voltage
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
VEB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
5.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IC
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
4.0
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base Current
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
IB
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
0.1
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Adc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎ
CASE 77
ÎÎÎ
ÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Total Power Dissipation @ TC = 25C
Derate above 25C
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
PD
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
40
0.32
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Watts
W/C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Operating and Storage Junction
Temperature Range
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
TJ, Tstg
ÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎ
–55 to +150
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
THERMAL CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Thermal Resistance, Junction to Case
CASE 77
TO–220
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
RθJC
ÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎ
3.13
2.50
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
C/W
ON Semiconductor
Semiconductor Components Industries, LLC, 2002
April, 2002 – Rev. 7 1Publication Order Number:
MJE700/D
MJE700
MJE702
MJE703
MJE800
MJE802
MJE803
4.0 AMPERE
DARLINGTON
POWER TRANSISTORS
COMPLEMENTARY
SILICON
40 WATT
50 WATT
PNP
NPN
CASE 77–08
TO–225AA TYPE
MJE700–703
MJE800–803
321
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
http://onsemi.com
2
25
TC, CASE TEMPERATURE (°C)
0
50 125 150
30
PD, POWER DISSIPATION (WATTS)
TO-220AB
50
40
20
10
Figure 1. Power Derating
75 100
TO-126
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TC = 25C unless otherwise noted)
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Characteristic
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
Symbol
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Min
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
Max
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Unit
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
OFF CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Breakdown Voltage (1) MJE700, MJE800
(IC = 50 mAdc, IB = 0) MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
V(BR)CEO
ÎÎÎ
ÎÎÎ
60
80
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current
(VCE = 60 Vdc, IB = 0) MJE700, MJE800
(VCE = 80 Vdc, IB = 0) MJE702, MJE703, MJE802, MJE803
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICEO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
100
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector Cutoff Current (VCB = Rated BVCEO, IE = 0)
Collector Cutoff Current (VCB = Rated BVCEO, IE = 0, TC = 100C)
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
ICBO
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
100
500
ÎÎÎ
Î
Î
Î
ÎÎÎ
µAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Emitter Cutoff Current (VBE = 5.0 Vdc, IC = 0)
ÎÎÎÎÎ
IEBO
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎ
2.0
ÎÎÎ
mAdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ON CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DC Current Gain (1)
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) MJE700, MJE702, MJE800, MJE802
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) MJE703, MJE803
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) All devices
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
hFE
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
750
750
100
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Collector–Emitter Saturation Voltage (1)
(IC = 1.5 Adc, IB = 30 mAdc) MJE700, MJE702, MJE800, MJE802
(IC = 2.0 Adc, IB = 40 mAdc) MJE703, MJE803
(IC = 4.0 Adc, IB = 40 mAdc) All devices
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VCE(sat)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.5
2.8
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Base–Emitter On Voltage (1)
(IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc) MJE700, MJE702, MJE800, MJE802
(IC = 2.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) MJE703, MJE803
(IC = 4.0 Adc, VCE = 3.0 Vdc) All devices
ÎÎÎÎÎ
Î
ÎÎÎ
Î
Î
ÎÎÎ
Î
ÎÎÎÎÎ
VBE(on)
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
—
—
—
ÎÎÎÎ
Î
ÎÎ
Î
Î
ÎÎ
Î
ÎÎÎÎ
2.5
2.5
3.0
ÎÎÎ
Î
Î
Î
Î
Î
Î
ÎÎÎ
Vdc
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
DYNAMIC CHARACTERISTICS
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎÎ
Small–Signal Current Gain (IC = 1.5 Adc, VCE = 3.0 Vdc, f = 1.0 MHz)
ÎÎÎÎÎ
ÎÎÎÎÎ
hfe
ÎÎÎ
ÎÎÎ
1.0
ÎÎÎÎ
ÎÎÎÎ
—
ÎÎÎ
ÎÎÎ
—
(1) Pulse Test: Pulse Width 300 µs, Duty Cycle 2.0%.
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
http://onsemi.com
3
0.04 0.2 2.00.1
0.06 0.4 1.0
4.0
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
t, TIME (s)µ
2.0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
ts
Figure 2. Switching Times Test Circuit
tr
td @ VBE(off) = 0
PNP
NPN
4.00.6
Figure 3. Switching Times
V2
APPROX
+8.0 V
0≈ 6.0 k
SCOPE
VCC
-30 V
RC
51
For td and tr, D1 id disconnected
and V2 = 0, RB and RC are varied
to obtain desired test currents.
For NPN test circuit, reverse diode,
polarities and input pulses.
25 µs
tr, tf ≤ 10 ns
DUTY CYCLE = 1.0%
+ 4.0 V
RB & RC VARIED TO OBTAIN DESIRED CURRENT LEVELS
D1, MUST BE FAST RECOVERY TYPE, e.g.:
1N5825 USED ABOVE IB ≈ 100 mA
MSD6100 USED BELOW IB ≈ 100 mA
V1
APPROX
-12 V
TUT
RB
D1≈ 150
tf
VCC = 30 V
IC/IB = 250
IB1 = IB2
TJ = 25°C
t, TIME (ms)
1.0
0.01
0.01
0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
r(t), TRANSIENT THERMAL RESISTANCE
0.05 1.0 2.0 5.0 10 20 50 100 200 1000500
θJC(t) = r(t) θJC
θJC = 3.12°C/W MAX
D CURVES APPLY FOR POWER
PULSE TRAIN SHOWN
READ TIME AT t1
TJ(pk) - TC = P(pk) θJC(t)
P(pk)
t1t2
DUTY CYCLE, D = t1/t2
D = 0.5
0.2
0.05
0.01
SINGLE PULSE
0.1
0.7
0.3
0.07
0.03
0.02 0.1 0.50.2
Figure 4. Thermal Response (MJE700, 800 Series)
0.03 3.0 30 3000.3
(NORMALIZED)
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
http://onsemi.com
4
10
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.1
100
2.0
5.0
0.5
Figure 5. MJE700 Series
MJE702, 703
MJE700
dc
1.0
3.0
1.0ms
70503020107.05.0
100µs
TJ = 150°C
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
0.1
Figure 6. MJE800 Series
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
10070503020107.05.0
0.2
0.7
0.3
7.0
10
2.0
5.0
0.5
1.0
3.0
0.2
0.7
0.3
7.0
5.0ms
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
100µs
1.0ms
5.0ms
dc
TJ = 150°C
BONDING WIRE LIMITED
THERMALLY LIMITED
@ TC = 25°C (SINGLE PULSE)
SECOND BREAKDOWN LIMITED
MJE802, 803
MJE800
ACTIVE–REGION SAFE–OPERATING AREA
There are two limitations on the power handling ability of
a transistor: average junction temperature and second
breakdown. Safe operating area curves indicate IC – VCE
limits of the transistor that must be observed for reliable
operation; i.e., the transistor must not be subjected to greater
dissipation than the curves indicate.
The data of Figures 5 and 6 are based on TJ(pk) = 150C;
TC is variable depending on conditions. Second breakdown
pulse limits are valid for duty cycles to 10% provided TJ(pk)
< 150C. TJ(pk) may be calculated from the data in Figure
4. At high case temperatures, thermal limitations will reduce
the power that can be handled to values less than the
limitations imposed by second breakdown.
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
http://onsemi.com
5
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
VCE, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
PNP
MJE700 Series NPN
MJE800 Series
Figure 7. DC Current Gain
Figure 8. Collector Saturation Region
Figure 9. “On” Voltages
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
300
0.06 0.2
2.0 k
800
4.0 k
hFE, DC CURRENT GAIN
VCE = 3.0 V
TJ = 125°C
3.0 k
0.1 0.6
25°C
-55°C
1.0 k
0.4 1.0
6.0 k
400
600
2.0 4.0 0.04
300
0.06 0.2
2.0 k
800
4.0 k
hFE, DC CURRENT GAIN
3.0 k
0.1 0.6
1.0 k
0.4 1.0
6.0 k
400
600
2.0 4.0
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.60.1 0.2 0.5 102.0 5.0
IC =
0.5 A
1.0 A
1.0
TJ = 25°C
3.0
1.0
0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06 0.2 2.00.1 0.60.4 1.0 4.0 0.04
IC, COLLECTOR CURRENT (AMP)
1.4
1.0
V, VOLTAGE (VOLTS)
2.2
1.8
0.6
0.2
0.06 0.2 2.00.1 0.60.4 1.0 4.0
20 50 100
3.4
IB, BASE CURRENT (mA)
2.6
2.2
1.8
1.4
0.6
0.1 0.2 0.5 102.0 5.01.0
3.0
1.0
20 50 100
VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 3.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
2.0 A 4.0 A
TJ = 25°C
VCE = 3.0 V
TJ = 125°C
25°C
-55°C
IC =
0.5 A
1.0 A
TJ = 25°C
2.0 A 4.0 A
VBE(sat) @ IC/IB = 250 VBE @ VCE = 3.0 V
VCE(sat) @ IC/IB = 250
TJ = 25°C
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
http://onsemi.com
6
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 77–09
ISSUE W
TO–225AA
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
–B–
–A– M
K
FC
Q
H
V
G
S
D
JR
U
132
2 PL
M
A
M
0.25 (0.010) B M
M
A
M
0.25 (0.010) B M
DIM MIN MAX MIN MAX
MILLIMETERSINCHES
A0.425 0.435 10.80 11.04
B0.295 0.305 7.50 7.74
C0.095 0.105 2.42 2.66
D0.020 0.026 0.51 0.66
F0.115 0.130 2.93 3.30
G0.094 BSC 2.39 BSC
H0.050 0.095 1.27 2.41
J0.015 0.025 0.39 0.63
K0.575 0.655 14.61 16.63
M5 TYP 5 TYP
Q0.148 0.158 3.76 4.01
R0.045 0.065 1.15 1.65
S0.025 0.035 0.64 0.88
U0.145 0.155 3.69 3.93
V0.040 --- 1.02 ---
STYLE 1:
PIN 1. EMITTER
2. COLLECTOR
3. BASE
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
http://onsemi.com
7
Notes
MJE700 MJE702 MJE703 MJE800 MJE802 MJE803
http://onsemi.com
8
ON Semiconductor and are registered trademarks of Semiconductor Components Industries, LLC (SCILLC). SCILLC reserves the right to make
changes without further notice to any products herein. SCILLC makes no warranty, representation or guarantee regarding the suitability of its products for any
particular purpose, nor does SCILLC assume any liability arising out of the application or use of any product or circuit, and specifically disclaims any and all
liability, including without limitation special, consequential or incidental damages. “Typical” parameters which may be provided in SCILLC data sheets and/or
specifications can and do vary in different applications and actual performance may vary over time. All operating parameters, including “Typicals” must be
validated for each customer application by customer’s technical experts. SCILLC does not convey any license under its patent rights nor the rights of others.
SCILLC products are not designed, intended, or authorized for use as components in systems intended for surgical implant into the body, or other applications
intended to support or sustain life, or for any other application in which the failure of the SCILLC product could create a situation where personal injury or death
may occur. Should Buyer purchase or use SCILLC products for any such unintended or unauthorized application, Buyer shall indemnify and hold SCILLC
and its officers, employees, subsidiaries, affiliates, and distributors harmless against all claims, costs, damages, and expenses, and reasonable attorney fees
arising out of, directly or indirectly, any claim of personal injury or death associated with such unintended or unauthorized use, even if such claim alleges that
SCILLC was negligent regarding the design or manufacture of the part. SCILLC is an Equal Opportunity/Affirmative Action Employer.
PUBLICATION ORDERING INFORMATION
JAPAN: ON Semiconductor, Japan Customer Focus Center
4–32–1 Nishi–Gotanda, Shinagawa–ku, Tokyo, Japan 141–0031
Phone: 81–3–5740–2700
Email: r14525@onsemi.com
ON Semiconductor Website: http://onsemi.com
For additional information, please contact your local
Sales Representative.
MJE700/D
Literature Fulfillment:
Literature Distribution Center for ON Semiconductor
P.O. Box 5163, Denver, Colorado 80217 USA
Phone: 303–675–2175 or 800–344–3860 Toll Free USA/Canada
Fax: 303–675–2176 or 800–344–3867 Toll Free USA/Canada
Email: ONlit@hibbertco.com
N. American Technical Support: 800–282–9855 Toll Free USA/Canada
