1
MOSFET
MOSFETMOSFET
MOSFET 30A
30A30A
30A
450
450450
450～
～～
～500V
500V500V
500V PD4M441L PD4M440
L
P2H4M441LP2H4M440
L
耐 圧・クラス Grade 項 目
Rating 記 号
Symbol PD4M441L/P2H4M441L PD4M440L/P2H4M440L 単位
Unit
450 500
ドレイン・ソース間電圧
Drain-Sour ce Voltage VDSS VGS=0V V
ゲート・ソース間電圧
Gate-S ource Voltage VGSS ±20 V
Duty= 50% 30（Ｔc=25℃） ドレイン電流（連続）
Continuous Drain Current D.C. ID 21（Ｔc=25℃） A
パルスドレイン電流
Pulsed Drain Current IDM 60（Ｔc=25℃） A
全損失
Total Power Dissipation PD 230（Ｔc=25℃） W
動作接合温度範囲
Operat ing Junction Temperature Rang e Tjw −40〜+150℃ ℃
保存温度範囲
Storag e Temperature Range Tstg −40〜+125℃ ℃
2000
絶縁耐圧
RMS Isolation Voltag e Viso 端子 - ベース間,AC1 分間 T erminals to Base, AC 1 min . V
3.0（本体取付 Module Base to Heat sink） 締付トルク
Mounting Torque Ftor 2.0（ネジ端子部 Bus bar to Main Terminals） N・m
PD4M441L/440L
PD4M441L/440LPD4M441L/440L
PD4M441L/440L
P2H4M441L/440L
P2H4M441L/440LP2H4M441L/440L
P2H4M441L/440L
質量 Approximate W eight :220g 質量 Approximate W eight :220g
■最大定格
最大定格最大定格
最大定格Maximum Ratings
108.0 108.0
http://store.iiic.cc/
─ 317 ─
■電気的特性 ElectricalCharacteristics（＠TC＝25℃ unlessotherwisenoted）
項   目
Characteristic 記号
Symbol 条   件
Condition
特性値（最大）
MaximumValue
単位
Unit
最小
Min. 標準
Typ. 最大
Max.
ドレイン遮断電流
ZeroGateVoltageDrainCurrent IDSS VDS＝VDSS,VGS＝0V ─ ─ 1 mA
ゲート・ソース間しきい値電圧
Gate-SourceThresholdVoltage VGS（th） VDS＝VGS,ID＝1mA 23.2 4 V
ゲート・ソース間漏れ電流
Gate-SourceLeakageCurrent IGSS VGS＝±20V,VDS＝0V ─ ─ 1 μA
ドレイン・ソース間オン抵抗（MOSFET部）
StaticDrain-SourceOn-Resistance rDS（on） VGS＝10V,ID＝15A ─190 210 mΩ
順伝達コンダクタンス
ForwardTransconductance gfg VDS＝15V,ID＝15A ─ 27 ─ S
項   目
Characteristic 記号
Symbol 条   件
Condition
特性値（最大）
MaximumValue
単位
Unit
最小
Min. 標準
Typ. 最大
Max.
ソース電流（連続）
ContinuousSourceCurrent ISD.C. ─ ─ 21 A
パルスソース電流
PulsedSourceCurrent ISM ─ ─ 60 A
ダイオード順電圧
DiodeForwardVoltage VSD IS＝30A ─ ─ 2.0 V
逆回復時間
ReverseRecoveryTime trr IS＝30A
−diS/dt＝100A/μs
─750 ─ns
逆回復電荷
ReverseRecoveryCharge Qr─ 17 ─ μC
Tj＝125℃,VDS＝VDSS,VGS＝0V ─ ─ 4
入力容量
InputCapacitance Ciss VGS＝0V
VDS＝25V
f＝1MHz
─5.2 ─nF
出力容量
OutputCapacitance Coss ─1.1 ─nF
帰還容量
ReverseTransferCapacitance Crss ─0.18 ─nF
上昇時間
RiseTime tr
ターン・オン遅延時間
Turn-OnDelayTime td（on）
VDD＝1/2VDSS
ID＝15A
VGS＝−5V,＋10V
RG＝7Ω
─100 ─ns
─ 60 ─ ns
ターン・オン遅延時間
Turn-OffDelayTime td（off） ─180 ─ns
下降時間
FallTime tf─ 50 ─ ns
項   目
Characteristic 記号
Symbol 条   件
Condition
特性値（最大）
MaximumValue
単位
Unit
最小
Min. 標準
Typ. 最大
Max.
熱抵抗（接合部−ケース間）
ThermalResistance,JunctiontoCase Rth（j-c） MOSFET ─ ─ 0.56
℃/W
接触熱抵抗（ケース−冷却フィン間）
ThermalResistance,CasetoHeatsink Rth（c-f） サーマルコンパウンド塗布
Mountingsurfaceflat,smooth,andgreased ─ ─ 0.1
Diode ─ ─ 0.56
■内部ダイオード定格・特性 
Source-DrainDiodeRatingsandCharacteristics（＠T
C
＝25℃ unlessotherwisenoted）
■熱抵抗特性 ThermalCharacteristics
http://store.iiic.cc/
-
302
-
50
40
30
20
10
0024681012
DRAIN CURRENT I
D
(A)
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
TC=25ı 250 s Pulse Test
10V
6V
4V
VGS=5V
Fig. 1 Typical Output Characteristics
12
10
8
6
4
2
01 2 5 10 20 50 100
CAPACITANCE C (nF)
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
VGS=0V f=1kHz
Ciss
Coss
Crss
Fig. 4 Typical Capacitance
Fig. 4 Vs. Drain-Source Voltage
1000
500
100
200
50
20
10 12 51020 50
SWITCHING TIME t (ns)
RG=7 VDD=250V TC=25ı 80 s Pulse Test
DRAIN CURRENT I
D
(A)
td(off)
td(on)
tr
tf
Fig. 7 Typical Switching Time
Fig. 7 Vs. Drain Current
200
50
100
20
10
5
0.5
1
2
0.21 2 5 10 20 50 100 500200 1000
DRAIN CURRENT I
D
(A)
DRAIN TO SOURCE VOLTAGE V
DS
(V)
TC=25ı Tj=150ıMAX Single Pulse
10 s
1ms
10ms
DC
100 s
-441L -440L
Operation in this area
is limited by RDS (on)
Fig. 10 Maximum Safe Operating Area
8
6
4
2
00 4 8 12 16
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE V
DS
(on)(V)
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
TC=25ı 250 s Pulse Test
ID=30A
15A
10A
Fig. 2 Typical Drain-Source On-Voltage
Fig. 2 Vs. Gate-Source Voltage
16
12
8
4
00 40 80 120 160 200 240
GATE TO SOURCE VOLTAGE V
GS
(V)
TOTAL GATE CHRAGE Q
g
(nC)
ID=20A
100V
250V
400V
VDD=
Fig. 5 Typical Gate Charge
Fig. 5 Vs. Gate-Source Voltage
60
50
40
30
20
10
00 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2
SOURCE CURRENT I
S
(A)
SOURCE TO DRAIN VOLTAGE V
SD
(V)
250 s Pulse Test
Tj=125ı Tj=25ı
Fig. 8 Typical Source-Drain Diode Forward
Fig. 8 Characteristics
10
-2
2
10
0
5
2
10
-1
5
2
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
NORMALIZED TRANSIENT
THERMAL IMPEDANCE
[r
th(j-c)
/ R
th(j-c)
]
PULSE DURATION t (s)
Per Unit Base
Rth(j-c)=0.56ı/W
1 Shot Pulse
Fig. 11 Normalized Transient Thermal impedance(MOSFET)
0.50
0.42
0.34
0.26
0.18
0.10
-40 0 40 80 120 160
DRAIN TO SOURCE ON VOLTAGE V
DS
(on)(V)
JUNCTION TEMPERATURE T
j
(
)
VGS=10V 250 s Pulse Test
ID=30A
15A
10A
Fig. 3 Typical Drain-Source On Voltage
Fig. 3 Vs. Junction Temperature
5
2
0.5
1
0.2
0.1
0.052 5 10 20 50 100 200
SWITCHING TIME t (
s)
ID=15A VDD=250V TC=25ı 80 s Pulse Test
SERIES GATE IMPEDANCE R
G
(
)
toff
ton
Fig. 6 Typical Switching Time
Fig. 6 Vs. Series Gate impedance
2000
1000
200
500
100
50
0 100 200 300 400 500 600
REVERSE RECOVERY TIME t
rr
(ns)
REVERSE CURRENT I
R
(A)
IS=30A IS=15A Tj=150ı
-dis/dt (A/ s)
trr
IR
Fig. 9 Typical Reverse Recovery Characteristics
M
O
S
F
E
T
http://store.iiic.cc/